曙光已現(xiàn) 佰維存儲(chǔ)披露2023年業(yè)績(jī)預(yù)告 Q4業(yè)績(jī)顯著回升
2023年初爆發(fā)的AI革命,讓ChatGPT一詞進(jìn)入了大眾的視界
? ? ? ?2023年初爆發(fā)的AI革命,讓ChatGPT一詞進(jìn)入了大眾的視界,也讓市場(chǎng)開始關(guān)注AI或?qū)?lái)的產(chǎn)業(yè)鏈機(jī)遇。AI技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了數(shù)據(jù)需求的井噴式爆發(fā),由此推動(dòng)了行業(yè)對(duì)存儲(chǔ)的需求高漲。
實(shí)際上,在多種因素影響下,經(jīng)歷了2年的蟄伏以后,存儲(chǔ)行業(yè)的景氣度已呈現(xiàn)向上態(tài)勢(shì)。市調(diào)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,進(jìn)入第四季度,多個(gè)型號(hào)的存儲(chǔ)芯片呈現(xiàn)漲價(jià)之勢(shì)。第四季Mobile??DRAM(移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13%至18%。NAND??Flash(閃存存儲(chǔ)器)方面,eMMC(嵌入式多媒體存儲(chǔ)芯片)、UFS(通用閃存存儲(chǔ)芯片)第四季合約價(jià)漲幅約10%至15%。受行業(yè)周期上行因素影響,多家存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)上市公司近期業(yè)績(jī)出現(xiàn)反轉(zhuǎn)。
1月29日,科創(chuàng)板存儲(chǔ)企業(yè)佰維存儲(chǔ)(688525.SH)發(fā)布2023年年度業(yè)績(jī)預(yù)告,預(yù)計(jì)公司2023年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入35-37億元,同比增長(zhǎng)20%-22%。其中,第四季度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14-16億元,同比增長(zhǎng)超過(guò)80%,環(huán)比增長(zhǎng)超過(guò)50%,毛利率環(huán)比回升超過(guò)13個(gè)百分點(diǎn)。值得注意的是,在2023年整體行業(yè)大環(huán)境表現(xiàn)不佳的大背景下,佰維存儲(chǔ)的營(yíng)收以20%以上的增速達(dá)到歷史新高。
進(jìn)入2024年,存儲(chǔ)器漲勢(shì)持續(xù)延續(xù)。根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技(Trendforce)最新報(bào)告,Nand今年第1季價(jià)格將再漲18%至23%,Dram今年一季度合約價(jià)季漲幅約13%-18%,特別是移動(dòng)設(shè)備內(nèi)存預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)23%。受行業(yè)利好因素影響,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)財(cái)務(wù)表現(xiàn)有望繼續(xù)提升。
存儲(chǔ)行業(yè)復(fù)蘇 AI應(yīng)用成新需求爆發(fā)點(diǎn)
2022年以來(lái),受全球宏觀經(jīng)濟(jì)“逆風(fēng)”影響,IT市場(chǎng)需求迅速下降,連帶存儲(chǔ)產(chǎn)品量?jī)r(jià)齊跌。2023年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模下降了37%,連帶國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)企業(yè)均承受巨大的經(jīng)營(yíng)壓力,三星、美光、海力士等存儲(chǔ)巨頭2023年均出現(xiàn)明顯虧損,佰維存儲(chǔ)受行業(yè)因素影響全年毛利率降低約10%。
自四季度以來(lái),受存儲(chǔ)大廠縮減產(chǎn)能以及下游以手機(jī)為代表的消費(fèi)電子市場(chǎng)出現(xiàn)邊際復(fù)蘇,存儲(chǔ)器市場(chǎng)開始反轉(zhuǎn)。展望2024年,存儲(chǔ)器價(jià)格也將延續(xù)上漲態(tài)勢(shì),美國(guó)調(diào)查公司Gartner去年(2023年)12月發(fā)表預(yù)估報(bào)告指出,2024年存儲(chǔ)器需求將呈現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇、營(yíng)收預(yù)估將暴增66.3%,其中2024年閃存營(yíng)收預(yù)估將暴增49.6%、內(nèi)存營(yíng)收預(yù)估將暴增88%。
對(duì)此,佰維存儲(chǔ)表示,公司將持續(xù)深耕存儲(chǔ)主業(yè),致力于大客戶市場(chǎng)的開拓與突破,同時(shí),公司將繼續(xù)加大研發(fā)投入,完善產(chǎn)業(yè)鏈布局,增強(qiáng)硬科技實(shí)力,以更好的把握產(chǎn)業(yè)景氣度回升實(shí)現(xiàn)業(yè)績(jī)快速成長(zhǎng)。
值得注意的是,存儲(chǔ)器市場(chǎng)可謂是受AI機(jī)遇影響最大的賽道,比如AI熱潮的興起便直接帶動(dòng)了存儲(chǔ)器市場(chǎng)HBM(高帶寬內(nèi)存)概念的火爆。簡(jiǎn)單而言,隨著AI對(duì)于數(shù)據(jù)處理需求的幾何式增加,GPU的性能要求不斷增加,GPU需要更快的從內(nèi)存中訪問(wèn)數(shù)據(jù),這就對(duì)新型存儲(chǔ)技術(shù)與容量提出了更高的要求。
另一方面,AI應(yīng)用開始從資料中心/服務(wù)器擴(kuò)及到各項(xiàng)層面,讓智能手機(jī)、PC、物聯(lián)網(wǎng)等終端裝置搭載的存儲(chǔ)器容量都可望看增,也是未來(lái)持續(xù)帶旺存儲(chǔ)芯片的龐大動(dòng)能。
有市場(chǎng)人士表示,未來(lái)算力即貨幣,其中,計(jì)算、存儲(chǔ)與網(wǎng)絡(luò)三位一體不可或缺。
持續(xù)提升研發(fā)強(qiáng)度 穩(wěn)定布局先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域
作為一家半導(dǎo)體企業(yè),僅僅立足于銷售渠道的拓展,不足以賦予企業(yè)持久的生命力。一手抓銷售,一手抓硬研發(fā)強(qiáng)度,是佰維存儲(chǔ)自成立以來(lái)便始終堅(jiān)持的發(fā)展策略。業(yè)績(jī)預(yù)告顯示,2023年度,公司研發(fā)費(fèi)用扣除股份支付后增幅超過(guò)50%,疊加對(duì)于研發(fā)人員的股份支付因素,是導(dǎo)致公司在四季度利潤(rùn)下行的主要因素。
隨著AI技術(shù)的發(fā)展以及半導(dǎo)體技術(shù)繼續(xù)向前沿領(lǐng)域發(fā)展,行業(yè)對(duì)于先進(jìn)封測(cè)技術(shù)的需求不斷提升。以AI帶火的HBM為例,HBM可簡(jiǎn)單理解成一種先進(jìn)的堆疊技術(shù),通過(guò)更立體緊湊的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的效能和更低的功耗,這就對(duì)封裝工藝的要求提升了很多。特別是HBM核心技術(shù)之一的硅通孔(TSV)技術(shù),是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵。
佰維存儲(chǔ)很早便意識(shí)到先進(jìn)封裝對(duì)于半導(dǎo)體特別是存儲(chǔ)行業(yè)未來(lái)發(fā)展的重要性。佰維存儲(chǔ)的惠州先進(jìn)封裝工廠已正式運(yùn)營(yíng)。公司掌握的16層疊Die、30~40μm超薄Die、多芯片異構(gòu)集成等先進(jìn)封裝工藝,為NANDFlash芯片、DRAM芯片和SiP封裝芯片的大規(guī)模量產(chǎn)提供支持。
針對(duì)先進(jìn)封裝在HBM領(lǐng)域的運(yùn)用,公司與東莞松山湖新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽訂《東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)項(xiàng)目投資意向協(xié)議》,其中一期投資項(xiàng)目為公司向特定對(duì)象發(fā)行A股股票的募投項(xiàng)目“晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目”。該晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目主要是實(shí)現(xiàn)凸塊(Bumping)、重布線(RDL)、扇入(Fan-in)、扇出(Fan-out)、硅通孔(TSV)等工藝技術(shù)。一旦成功落地運(yùn)營(yíng),將有望支持佰維存儲(chǔ)成為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)封裝的代表性企業(yè),也為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)HBM產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)替代奠定扎實(shí)的基礎(chǔ)。
除此以外,在內(nèi)存技術(shù)的研發(fā)領(lǐng)域,佰維存儲(chǔ)也在有序推進(jìn)。根據(jù)公開資料顯示,去年底,佰維存儲(chǔ)宣布成功研發(fā)出支持CXL2.0規(guī)范的CXL??DRAM。該內(nèi)存內(nèi)存容量最高 96GB,同時(shí)支持 PCIe 5.0×8 接口,理論帶寬可達(dá)??32GB/s。作為對(duì)比,三星存儲(chǔ)于2023年5月宣布全球首家研發(fā)出支持CXL 2.0的CXL DRAM,其性能指標(biāo)為最大內(nèi)存容量128GB,支持PCIe??5.0(x8通道),提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。佰維存儲(chǔ)與全球頭部企業(yè)在前沿存儲(chǔ)研發(fā)領(lǐng)域的差異已然不大。而CXL作為下一代內(nèi)存可擴(kuò)展設(shè)備,能夠?yàn)楦咝阅芊?wù)器系統(tǒng)中與CPU一起使用的加速器、DRAM和存儲(chǔ)設(shè)備提高效率,佰維存儲(chǔ)的這一研發(fā)進(jìn)展,將明顯有助于其擴(kuò)大在服務(wù)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
同時(shí),作為存儲(chǔ)器另一大核心產(chǎn)品的主控芯片研發(fā),佰維存儲(chǔ)也有突破,其研發(fā)的主控芯片已在近期回片點(diǎn)亮,正在進(jìn)行量產(chǎn)準(zhǔn)備。
在行業(yè)復(fù)蘇以及AI技術(shù)機(jī)遇的影響下,存儲(chǔ)企業(yè)的業(yè)績(jī)反轉(zhuǎn)曙光已現(xiàn)。對(duì)此,佰維存儲(chǔ)表示,公司將繼續(xù)把握行業(yè)周期上行以及存儲(chǔ)行業(yè)技術(shù)迭代的發(fā)展機(jī)遇,深耕主業(yè),不斷強(qiáng)化對(duì)前沿存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)強(qiáng)度,為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展以及公司業(yè)績(jī)的持續(xù)穩(wěn)健增長(zhǎng)打下扎實(shí)的基礎(chǔ)。
來(lái)源:咸寧新聞網(wǎng)
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